Vishay IRF740A Type N-Channel Power MOSFET, 10 A, 400 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB

RS Stock No.:: 178-0831
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF740APBF
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay IRF740A Type N-Channel Power MOSFET, 10 A, 400 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB2,624.40

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,808.10

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 950 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB52.488	THB2,624.40
100 - 150	THB51.347	THB2,567.35
200 +	THB50.206	THB2,510.30

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-0831
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF740APBF
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	400V
	Package Type	TO-220AB
	Series	IRF740A
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	550mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Forward Voltage Vf	2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	36nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	4.7mm
	Length	10.41mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	9.01mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 400V
	Package Type TO-220AB
	Series IRF740A
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 550mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Forward Voltage Vf 2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 4.7mm
	Length 10.41mm
	Standards/Approvals RoHS
	Height 9.01mm
	Automotive Standard No

Datasheet

ล็อกอินเพื่อดูโมเดล CAD

Vishay IRF740A Series Power MOSFET, 400V Maximum Drain Source Voltage, 10A Maximum Continuous Drain Current - IRF740APBF

This power MOSFET is a high-voltage N-channel switching transistor designed for demanding industrial and automation environments. It handles high drain-to-source voltages and suits circuits that require robust switching capability and moderate continuous current capacity while being mounted on a through-hole PCB format.

Features and Benefits:

• 400V rated drain-to-source voltage provides high-voltage switching capability • 10A continuous drain current supports sustained power delivery • 550mΩ low Rds(on) reduces conduction losses during operation • 125W power dissipation enables high-power handling in assemblies • 36nC typical gate charge allows predictable switching behaviour • 150°C maximum operating temperature tolerates elevated thermal conditions

Applications

• Suitable for industrial inverter and converter power stages • Ideal for motor drive switching in automation systems • Used with high-voltage power supplies in test equipment • Can be used for switch-mode power supply primary switches • Suitable for high-voltage relay replacement and protection circuits

What mounting method is required for reliable thermal contact?

It is supplied in a TO-220AB through-hole package that enables secure heatsink attachment via the rear mounting tab for effective heat removal.

How tolerant is the gate to control voltage excursions?

The gate accepts up to 30V between gate and source, allowing standard gate drive voltages while protecting against overvoltage.

What ambient temperature range can it operate in?

It functions across a wide temperature span from -55°C up to its maximum 150°C junction limit for elevated-temperature applications.

How does the device behave during hard switching events?

The specified gate charge of 36nC and the device capacitances define switching losses and timing, which helps in calculating drive requirements for hard-switching topologies.