onsemi UniFET N-Channel MOSFET, 680 mA, 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDV303N

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 100 ชิ้น)*

THB355.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB380.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 900 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 100 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 9,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
100 - 700THB3.553THB355.30
800 - 1400THB3.491THB349.10
1500 +THB3.427THB342.70

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
121-2747
Distrelec หมายเลขบทความ:
304-36-911
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FDV303N
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

680mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Series

UniFET

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

450mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8V

Forward Voltage Vf

-1.6V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.64nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

350mW

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

2.92mm

Height

930μm

Width

1.3mm

Automotive Standard

No

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง