onsemi UniFET N-Channel MOSFET, 680 mA, 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDV303N
- RS Stock No.:
- 121-2747
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-36-911
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDV303N
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 800 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB49.60
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 100 ชิ้น)*
THB355.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB380.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 5,800 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 100 - 700 | THB3.553 | THB355.30 | - |
| 800 - 1400 | THB3.491 | THB349.10 | THB49.60 |
| 1500 + | THB3.427 | THB342.70 | THB189.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 121-2747
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-36-911
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDV303N
- ผู้ผลิต:
- onsemi
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 680mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | UniFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 450mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8V | |
| Forward Voltage Vf | -1.6V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 350mW | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 1.64nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 1.3mm | |
| Length | 2.92mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 930μm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 680mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series UniFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 450mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8V | ||
Forward Voltage Vf -1.6V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 350mW | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.64nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 1.3mm | ||
Length 2.92mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 930μm | ||
Automotive Standard No | ||
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi UniFET N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi Isolated 2 Type P 680 mA 6-Pin SOT-23 FDC6321C
- onsemi Isolated 2 N-Channel Power MOSFET 25 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC6303N
- onsemi Isolated 2 N-Channel Power MOSFET 25 V Enhancement, 6-Pin SOT-23
- onsemi UniFET Type P-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDV304P
- Infineon BSP Type P-Channel MOSFET -100 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 BSP316PH6327XTSA1
- onsemi NTS4409N N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NTS4409NT1G
- onsemi UniFET N-Channel MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-3PN FDA24N40F
