onsemi Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 510 mA, 50 V Enhancement, 6-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB16,191.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB17,325.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 6,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 +THB5.397THB16,191.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
178-7598
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NDC7002N
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

510mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

50V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

960mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

No

Length

3mm

Height

1mm

Width

1.7 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Enhancement Mode Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor


Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง