Vishay IRFZ48R Type N-Channel Power MOSFET, 50 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFZ48RPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 1000 ชิ้น)*

THB48,279.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB51,659.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 13 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
1000 - 1000THB48.279THB48,279.00
2000 - 4000THB44.658THB44,658.00
5000 +THB41.52THB41,520.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
281-6035
Distrelec หมายเลขบทความ:
171-17-666
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFZ48RPBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-220AB

Series

IRFZ48R

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.018Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

110nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

190W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Vishay IRFZ48R Series Power MOSFET, 60V Drain Source Voltage, 50A Continuous Drain Current - IRFZ48RPBF


This power MOSFET is a through‑hole N‑channel enhancement device designed for switching and amplification tasks in industrial electronic systems. It operates within moderate voltage ranges and is suited to applications requiring robust thermal tolerance and substantial current handling in a TO‑220AB package.

Features and Benefits:


• 60V maximum drain‑source voltage for mid‑voltage circuits • 50A continuous drain current for heavy‑load switching • 0.018Ω Rds(on) reduces conduction losses • 190W power dissipation for sustained power handling • 110nC typical gate charge for predictable switching behaviour • 175°C maximum junction temperature for high‑temperature environments

Applications


• Suitable for motor drive stages in automation systems • Ideal for power supply switch elements in industrial equipment • Used for load switching in electrical distribution modules • Can be used for high‑current switching in mechanical control systems

What gate drive considerations are required for fast switching?


Use a driver capable of delivering sufficient Peak current to charge 110nC quickly, and observe the 20V maximum gate‑source rating to avoid overdrive.

How does thermal management affect continuous operation?


Mount on an appropriate heatsink and consider the 190W dissipation limit and 175°C maximum operating temperature when calculating thermal resistance and duty cycles.

What factors determine suitability for PCB versus chassis mounting?


The through‑hole TO‑220AB format suits both PCB mounting and isolated heatsink attachment

choose mounting based on thermal path and mechanical stress needs.

Can this device tolerate low‑temperature environments during storage and operation?


It is specified to operate down to -55°C, so ensure materials and solder processes are compatible with that lower bound.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง