onsemi PowerTrench N-Channel Power MOSFET, 79 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB FDP2532
- RS Stock No.:
- 124-1748
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDP2532
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (50 ชิ้น, ในหลอดขนาด 50)*
THB4,228.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,524.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 กรกฎาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB84.566 | THB4,228.30 |
| 100 - 150 | THB82.727 | THB4,136.35 |
| 200 + | THB80.889 | THB4,044.45 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 124-1748
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDP2532
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 79A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Series | PowerTrench | |
| Mount Type | Through Hole, Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.016Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 310W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 82nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.25V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 9.4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.67mm | |
| Width | 4.83mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 79A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type TO-220AB | ||
Series PowerTrench | ||
Mount Type Through Hole, Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.016Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 310W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 82nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.25V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 9.4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.67mm | ||
Width 4.83mm | ||
Automotive Standard No | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi PowerTrench N-Channel Power MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB FDP2532
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FDB2532
- onsemi Isolated PowerTrench 2 N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi Isolated PowerTrench 2 N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS8984
- Vishay EF N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- onsemi Isolated PowerTrench 2 N-Channel Dual N-Channel Power Trench MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin Power 33
- Infineon HEXFET N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB