Infineon HEXFET Type N-Channel Power MOSFET, 202 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- RS Stock No.:
- 913-3837
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF1404PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,000.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,140.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 750 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB40.004 | THB2,000.20 |
| 100 - 150 | THB39.134 | THB1,956.70 |
| 200 + | THB38.265 | THB1,913.25 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 913-3837
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF1404PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 202A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.004Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 333W | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 131nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.67mm | |
| Width | 4.83 mm | |
| Height | 8.77mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 202A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-220AB | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.004Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 333W | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 131nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.67mm | ||
Width 4.83 mm | ||
Height 8.77mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon HEXFET Series MOSFET, 202A Maximum Continuous Drain Current, 333W Maximum Power Dissipation - IRF1404PBF
This power MOSFET is designed for high efficiency and dependability across various applications, making it important for professionals in automation, electronics, and electrical engineering. The advanced processing techniques used ensure minimal on-resistance and a wide operational temperature range, broadening its applicability.
Features & Benefits
• Continuous drain current of 202A supports robust performance
• Low Rds(on) of 4mΩ enhances energy efficiency
• Rapid switching capabilities improve overall performance
• Capable of operating at high temperatures, reaching up to 175°C
• Employs Si MOSFET technology for effective thermal management
• Comes in a TO-220AB package for straightforward mounting
Applications
• Employed in industrial automation systems for efficient power switching
• Suitable for high current motor controls and drives
• Ideal for power supply prioritising efficiency
• Utilised in renewable energy systems for effective power management
What type of voltage can be managed?
The device can support voltage levels up to 40V between the drain and source, offering versatility for various voltage regulation applications.
How does its low on-resistance impact system efficiency?
The low Rds(on) significantly reduces power loss during operation, leading to improved system efficiency by minimising energy waste.
What temperatures can it withstand during operation?
It is designed to function efficiently within a temperature range of -55°C to +175°C, making it appropriate for challenging environments.
Can it handle pulsed drain currents?
Yes, it can accommodate pulsed drain currents up to 808A, which provides flexibility for different application needs.
What is the significance of the TO-220AB package?
The TO-220AB package facilitates effective heat dissipation and convenient mounting, suitable for both commercial and industrial uses.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF1404PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin TO-220 AUIRF1404
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFZ24NPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFZ46NPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel Power MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC
- Infineon HEXFET Type N-Channel Power MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263
