Vishay SUM Type N-Channel MOSFET, 150 A, 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263-7L SUM70042M-GE3
- RS Stock No.:
- 280-0034
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUM70042M-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB81,583.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB87,294.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 800 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 800 + | THB101.979 | THB81,583.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 280-0034
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUM70042M-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 150A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | SUM | |
| Package Type | TO-263-7L | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00383Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 126nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.74V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.414mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 150A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series SUM | ||
Package Type TO-263-7L | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00383Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 126nC | ||
Forward Voltage Vf 0.74V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.414mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
TrenchFET power MOSFET
Fully lead (Pb)-free device
Very low RDS x Qg figure of merit
100 percent Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SUM Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263-7L SUM70042M-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SUM70030M-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Vishay N-Channel 100 V Type N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-263
- Vishay N-Channel 100 V Type N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-263 SUM70042E-GE3
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IRFS4115TRL7PP
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 7-Pin TO-263