Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 200 A, 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SUM40014M-GE3
- RS Stock No.:
- 228-2981
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUM40014M-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB151.57
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB162.18
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 742 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB75.785 | THB151.57 |
| 10 - 48 | THB73.895 | THB147.79 |
| 50 - 98 | THB72.045 | THB144.09 |
| 100 - 248 | THB70.24 | THB140.48 |
| 250 + | THB68.485 | THB136.97 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 228-2981
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUM40014M-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 200A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.99mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.72V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 182nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 200A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.99mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.72V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 182nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay N-Channel 40-V (D-S) MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SUM70030M-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SUM90100E-GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SQM40016EM_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
