Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET, 478 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4302DP-T1-GE3

RS Stock No.:: 279-9962
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIRS4302DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET, 478 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4302DP-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB146,457.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB156,708.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 +	THB48.819	THB146,457.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 279-9962
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIRS4302DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	478A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	SIRS
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.00057Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	230nC
	Maximum Power Dissipation Pd	208W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	5mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 478A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series SIRS
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00057Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 230nC
	Maximum Power Dissipation Pd 208W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Length 5mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIRS4302DP-T1-GE3

Vishay SIRS Series MOSFET, 30V Maximum Drain Source Voltage, 478A Maximum Continuous Drain Current - SIRS4302DP-T1-GE3

This MOSFET is a surface-mount N-channel device designed for high-current power switching in industrial electronics. It operates as an enhancement-mode transistor for controlled conduction in DC power stages and converter topologies, offering elevated temperature tolerance for demanding operating conditions.

Features and Benefits:

• 478A continuous drain current for high-load applications • 0.00057Ω low Rds(on) to minimise conduction losses • 30V drain-source rating for low-voltage power systems • 230nC typical gate charge for predictable switching behaviour • 208W power dissipation to handle substantial thermal loads • 150°C maximum junction temperature for elevated-temperature use

Applications

• Suitable for DC-DC converters in power distribution units • Ideal for motor drive stages in industrial automation • Used for high-current synchronous rectification in PSU designs • Suitable for power switching in battery management systems • Can be used for load switching in server and telecoms power racks

What mounting style does it require and how many pins are present?

It is supplied in an SO-8 surface-mount package with an 8-pin configuration for PCB assembly.

What ambient temperature range can it operate in reliably?

The device supports operation from -55°C up to its specified maximum junction temperature of 150°C.

What gate voltage limits should designers observe?

Gate-source voltage must not exceed ±20V to avoid gate oxide stress.

Is this device compliant with environmental restrictions on hazardous substances?

The component conforms to RoHS requirements for restricted materials.