Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET, 225 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS5100DP-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB269.36

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB288.22

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 5,994 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 48THB134.68THB269.36
50 - 98THB101.115THB202.23
100 - 248THB89.66THB179.32
250 - 998THB87.685THB175.37
1000 +THB86.10THB172.20

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
279-9971
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIRS5100DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

225A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SIRS

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0025Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

240W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

102nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง