Vishay SIRS Type P-Channel MOSFET, 227 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4301DP-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB192,873.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB206,373.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 +THB64.291THB192,873.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
279-9959
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIRS4301DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

227A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SIRS

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0015Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

132W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

548nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Enhance power dissipation and lower RthJC

Fully lead (Pb)-free device

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง