Vishay SiR N channel-Channel MOSFET, 518 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8S SiRS4302DP

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB131.69

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB140.91

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 07 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB131.69
10 - 24THB85.65
25 - 99THB45.05
100 - 499THB43.57
500 +THB42.58

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
735-148
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiRS4302DP
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

518A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SiR

Package Type

PowerPAK SO-8S

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00057Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

153nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

245W

Forward Voltage Vf

30V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Height

2mm

Length

6mm

Width

5mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
TW
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 60V drain-source voltage, optimized for high-efficiency switching in AI power server DC/DC converters and synchronous rectification circuits. It achieves very low on-resistance of 1.7mΩ maximum at 10V gate drive for minimal conduction losses in high-current applications

87A continuous drain current at TA=25°C

Low RDS(on) x Qg figure-of-merit for superior switching performance

100% Rg and UIS tested construction

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง