Vishay SiR Type P-Channel MOSFET, 37.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5623DP-T1-RE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด

ตัวเลือก

สินค้านี้ไม่มีจำหน่ายในขณะนี้ ลองดูสินค้าอื่นที่เราแนะนำ

presentation
Vishay SiR Type P-Channel MOSFET, 37.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5623DP-T1-RE3
RS Stock No.
279-9953

Each: (In a Pack of 4)

THB303.09

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB324.31

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

RS Stock No.:
279-9952
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIR5623DP-T1-RE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

37.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8

Series

SiR

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.024Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

59.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

33nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5.15mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

New generation power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Ultra low RDS x Qg FOM product

Fully lead (Pb)-free device

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง