Vishay SiR Type P-Channel MOSFET, 60.6 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR4409DP-T1-RE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB61,920.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB66,240.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 6,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 +THB20.64THB61,920.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
279-9939
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIR4409DP-T1-RE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

SiR

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.009Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

59.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

126nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5.15mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

New generation power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Ultra low RDS x Qg FOM product

Fully lead (Pb)-free device

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง