Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 46 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI7469ADP-T1-RE3
- RS Stock No.:
- 228-2831
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI7469ADP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB387.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB414.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB77.50 | THB387.50 |
| 50 - 95 | THB75.562 | THB377.81 |
| 100 - 245 | THB73.672 | THB368.36 |
| 250 - 995 | THB71.828 | THB359.14 |
| 1000 + | THB70.034 | THB350.17 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 228-2831
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI7469ADP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 46A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 19.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 42.7nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 73.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.12mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 46A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 19.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42.7nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 73.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.12mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay TrenchFET P-Channel power MOSFET is use for load switch, battery switch and power management.
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR681DP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
