Vishay SIHH Type N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH155N60EF-T1GE3

RS Stock No.:: 279-9916
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHH155N60EF-T1GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SIHH Type N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH155N60EF-T1GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB161.73

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB173.05

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 49	THB161.73
50 - 99	THB158.60
100 - 249	THB157.03
250 - 999	THB153.91
1000 +	THB150.78

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 279-9916
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHH155N60EF-T1GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	PowerPAK 8 x 8
	Series	SIHH
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.159Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	156W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	38nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±30 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	8mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type PowerPAK 8 x 8
	Series SIHH
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.159Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 156W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 38nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Length 8mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHH155N60EF-T1GE3

The Vishay MOSFET is a E series power MOSFET with Fast body diode and the transistor in it is made up of material known as silicon.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Reduced switching and conduction losses

Vishay SIHH Type N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH155N60EF-T1GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง