Vishay SIHH Type N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH155N60EF-T1GE3

RS Stock No.:: 279-9916
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHH155N60EF-T1GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SIHH Type N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH155N60EF-T1GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB214.15

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB229.14

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 49	THB214.15
50 - 99	THB210.00
100 - 249	THB207.92
250 - 999	THB203.78
1000 +	THB199.63

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 279-9916
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHH155N60EF-T1GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	PowerPAK 8 x 8
	Series	SIHH
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.159Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	38nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	156W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	8mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type PowerPAK 8 x 8
	Series SIHH
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.159Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 38nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 156W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 8mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHH155N60EF-T1GE3

Vishay SIHH Series MOSFET, 600V Maximum Drain Source Voltage, 18A Maximum Continuous Drain Current - SIHH155N60EF-T1GE3

This MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for power switching in surface-mount assemblies. It combines a robust voltage rating with substantial continuous current capability and is intended for circuits requiring efficient switching and thermal tolerance across a wide ambient range.

Features and Benefits:

• 600V drain rating enabling high-voltage switching applications
• 18A continuous drain current supporting heavy-load operation
• 0.159Ω Rds(on) reduces conduction losses under load
• 156W power dissipation assists higher-power handling
• 38nC typical gate charge for controlled switching transitions
• 30V gate-source rating permits standard gate-drive voltages

Applications

• Suitable for industrial motor drive front-ends
• Ideal for high-voltage power converters and inverters
• Used with synchronous rectification and switching stages
• Can be used for high-power LED driver circuits
• Employed in high-voltage test and measurement equipment

What temperature range can it operate within reliably?

It functions across a wide span from -55°C to 150°C, accommodating cold starts and elevated operating temperatures.

What packaging and mounting method does it use for PCB assembly?

It is supplied in a PowerPAK 8x8 surface-mount package designed for low-profile board mounting and efficient thermal contact.

How many pins are available for connection and control?

Four pins are provided to implement drain, source and gate connections in standard MOSFET configurations.

What is the device’s forward voltage characteristic relevant to intrinsic diode conduction?

The built-in diode exhibits a typical forward voltage of 1.2V during conduction events.