Vishay SIHH Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH150N60E-T1-GE3

RS Stock No.:: 279-9913
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHH150N60E-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SIHH Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH150N60E-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB316,311.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB338,454.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 13 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 +	THB105.437	THB316,311.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 279-9913
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHH150N60E-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	19A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	PowerPAK 8 x 8
	Series	SIHH
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.158Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	156W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	36nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	8mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 19A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type PowerPAK 8 x 8
	Series SIHH
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.158Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 156W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 8mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHH150N60E-T1-GE3

Vishay SIHH Series MOSFET, 600V Drain Source Voltage, 19A Continuous Drain Current - SIHH150N60E-T1-GE3

This MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for switching and power-management roles in industrial and electronic systems. It operates across a wide thermal range and is packaged for surface mounting, making it suitable for Compact power assemblies where controlled switching of high voltages is required.

Features and Benefits:

• 600V drain-source rating enables high-voltage switching applications • 19A continuous drain current supports substantial load currents • 0.158Ω Rds(on) reduces conduction losses at operating current • 36nC typical gate charge allows predictable switching energy • 156W maximum power dissipation manages thermal loading in designs • 30V gate threshold accommodates standard gate-drive voltages

Applications

• Suitable for high-voltage power supplies and inverters • Ideal for industrial motor-drive switching stages • Used for switch-mode power conversion in automation systems • Can be used for high-voltage load switching in test equipment

What temperature extremes can it tolerate during operation?

It is rated to operate down to -55°C and up to 150°C, enabling use in harsh thermal environments.

How is the device mounted in Compact power modules?

It is supplied in a PowerPAK 8x8 surface-mount package with four pins for low-profile PCB assembly.

What gate-drive constraints should be observed?

The gate-source voltage must not exceed 30V to avoid exceeding gate limits.

How does its package affect thermal handling?

The PowerPAK 8x8 surface package combined with the 156W dissipation rating permits efficient heat transfer when paired with appropriate PCB thermal design.