Infineon ISZ Type N-Channel Power Transistor, 128 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ028N03LF2SATMA1
- RS Stock No.:
- 348-902
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISZ028N03LF2SATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB442.36
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB473.33
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 4,950 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | THB44.236 | THB442.36 |
| 100 - 240 | THB42.009 | THB420.09 |
| 250 - 490 | THB38.941 | THB389.41 |
| 500 - 990 | THB35.824 | THB358.24 |
| 1000 + | THB34.488 | THB344.88 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 348-902
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISZ028N03LF2SATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power Transistor | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 128A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PG-TSDSON-8 | |
| Series | ISZ | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 21nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power Transistor | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 128A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PG-TSDSON-8 | ||
Series ISZ | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Infineon StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V in PQFN 3.3 x 3.3 package. Its features a best-in-class RDS(on) of 2.8 mOhm in a PQFN 3.3 x 3.3 package. This product addresses a broad range of applications from low to high switching frequency. Compared to the previous technology, its achieves up to 40% RDS(on) improvement while having up to 60% FOM enhancement and excellent robustness.
General purpose products
Excellent robustness
Superior price/performance ratio
Broad availability at distributors
Standard packages and pin out
High manufacturing and supply standards
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon ISZ Type N-Channel Power Transistor 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ033N03LF2SATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel Power Transistor 135 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ143N13NM6ATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel Power Transistor 200 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ520N20NM6ATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ056N03LF2SATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ113N10NM5LF2ATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ019N03L5SATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel OptiMOSTM Power-MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL ISZ040N03L5ISATMA1
- Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8FL