Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET, 63 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ113N10NM5LF2ATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB413.66

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB442.615

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 5,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 45THB82.732THB413.66
50 - 95THB78.576THB392.88
100 - 495THB72.836THB364.18
500 - 995THB66.998THB334.99
1000 +THB64.524THB322.62

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
349-154
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
ISZ113N10NM5LF2ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

63A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

ISZ

Package Type

PG-TSDSON-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

100W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY
The Infineon OptiMOS Linear FET is a revolutionary approach that solves the trade-off between on-state resistance and linear mode capability. Combined with the low cost, low profile PQFN 3.3x3.3 package, it is targeted for soft start and current limiting purpose in Power over Ethernet (PoE) application.

Wide safe operating area

Low RDS(on)

High max. pulse current

High max. continuous current

Available in small low profile package

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง