Infineon OptiMOSa5 Type N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP039N10N5AKSA1
- RS Stock No.:
- 273-3017
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP039N10N5AKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB3,693.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,951.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 350 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB73.864 | THB3,693.20 |
| 100 + | THB68.589 | THB3,429.45 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-3017
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP039N10N5AKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | OptiMOSa5 | |
| Package Type | PG-TO220-3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 188W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series OptiMOSa5 | ||
Package Type PG-TO220-3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 188W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET in a TO-220 package ideal for high frequency switching and synchronous rectification applications.
Highest system efficiency
Reduced switching and conduction losses
Less paralleling required
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOSa5 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon OptiMOSa5 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin PG-TO262-3
- Infineon OptiMOSa5 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin PG-TO262-3 IPI076N15N5AKSA1
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon IPP65R190CFD7A Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon CoolMOS^TM Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP60R016CM8XKSA1
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP65R060CFD7XKSA1