Infineon IPP Type N-Channel MOSFET, 135 A, 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP60R016CM8XKSA1

RS Stock No.:: 349-000
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPP60R016CM8XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPP Type N-Channel MOSFET, 135 A, 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP60R016CM8XKSA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB545.77

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB583.97

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB545.77
10 - 99	THB491.35
100 +	THB452.75

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 349-000
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPP60R016CM8XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	135A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	IPP
	Package Type	PG-TO220-3
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	16mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	625W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	171nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	JEDEC, RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 135A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series IPP
	Package Type PG-TO220-3
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 16mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 625W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 171nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals JEDEC, RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IPP60R016CM8XKSA1

COO (Country of Origin):: MY

The Infineon CoolMOS 8th generation platform is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The 600V CoolMOS CM8 series is the successor to the CoolMOS 7. It combines the benefits of a fast switching SJ MOSFET with excellent ease of use, e.g low ringing tendency, implemented fast body diode for all products with outstanding robustness against hard commutation and excellent ESD capability. Furthermore, extremely low switching and conduction losses of CM8, make switching applications even more efficient.

Suitable for hard and soft switching topologies

Ease of use and fast design in through low ringing tendency

Simplified thermal management thanks to our advanced die attach technique

Suitable for a wide variety of applications and power ranges

Increased power density solutions enabled by using products with smaller footprint

Infineon IPP Type N-Channel MOSFET, 135 A, 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP60R016CM8XKSA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง