Infineon IPP65R190CFD7A Type N-Channel MOSFET, 14 A, 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3
- RS Stock No.:
- 273-3022
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP65R190CFD7AAKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB195.84
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB209.54
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB97.92 | THB195.84 |
| 10 - 18 | THB88.995 | THB177.99 |
| 20 - 24 | THB87.255 | THB174.51 |
| 26 - 48 | THB81.60 | THB163.20 |
| 50 + | THB75.29 | THB150.58 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-3022
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP65R190CFD7AAKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 14A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | PG-TO220-3 | |
| Series | IPP65R190CFD7A | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 190mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 77W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | AECQ101, RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 14A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type PG-TO220-3 | ||
Series IPP65R190CFD7A | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 190mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 77W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals AECQ101, RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon 650V cool MOS N channel automotive SJ power MOSFET. It has highest reliability in the field meeting automotive lifetime requirements.
Enabling of higher power density designs
Granular portfolio available
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPP65R190CFD7A Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP65R190CFD7AAKSA1
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon OptiMOSa5 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon CoolMOS^TM Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP60R016CM8XKSA1
- Infineon OptiMOSa5 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP039N10N5AKSA1
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP65R060CFD7XKSA1
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP60R037CM8XKSA1