Infineon IPA N-Channel MOSFET, 48 A, 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPAN60R180CM8XKSA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB458.55

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB490.65

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 45THB91.71THB458.55
50 - 95THB87.088THB435.44
100 - 495THB80.69THB403.45
500 - 995THB74.294THB371.47
1000 +THB71.566THB357.83

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
348-987
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPAN60R180CM8XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

48A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

PG-TO220-3

Series

IPA

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

180mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

25W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Infineon CoolMOS 8th generation platform is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction principle and pioneered by Infineon Technologies. The 600V CoolMOS CM8 series is the successor to the CoolMOS 7. It combines the benefits of a fast switching SJ MOSFET with excellent ease of use, e.g low ringing tendency, implemented fast body diode (CFD) for all products with outstanding robustness against hard commutation and excellent ESD capability.

Significant reduction of switching and conduction losses

Simplified thermal management thanks to our advanced die attach technique

Suitable for a wide variety of applications and power ranges

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง