Infineon IPP Type N-Channel MOSFET, 70 A, 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP60R037CM8XKSA1
- RS Stock No.:
- 349-001
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP60R037CM8XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB559.63
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB598.804
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | THB279.815 | THB559.63 |
| 20 - 198 | THB251.86 | THB503.72 |
| 200 + | THB232.315 | THB464.63 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-001
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP60R037CM8XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 70A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | IPP | |
| Package Type | PG-TO220-3 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 37mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 390W | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 79nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 70A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series IPP | ||
Package Type PG-TO220-3 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 37mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 390W | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 79nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals JEDEC | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon CoolMOS 8th generation platform is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The 600V CoolMOS CM8 series is the successor to the CoolMOS 7. It combines the benefits of a fast switching SJ MOSFET with excellent ease of use, e.g low ringing tendency, implemented fast body diode for all products with outstanding robustness against hard commutation and excellent ESD capability. Furthermore, extremely low switching and conduction losses of CM8, make switching applications even more efficient.
Suitable for hard and soft switching topologies
Ease of use and fast design in through low ringing tendency
Simplified thermal management thanks to our advanced die attach technique
Suitable for a wide variety of applications and power ranges
Increased power density solutions enabled by using products with smaller footprint
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP60R016CM8XKSA1
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon IPP Type N-Channel Power Transistor 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP60R180CM8XKSA1
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP65R060CFD7XKSA1
- Infineon IPP Type N-Channel Power Transistor 200 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP069N20NM6AKSA1
- Infineon IPP Type N-Channel Power Transistor 135 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP073N13NM6AKSA1
- Infineon IPP Type N-Channel Power Transistor 200 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPP339N20NM6AKSA1
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 IPAN60R180CM8XKSA1