Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 169 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT029N08N5ATMA1
- RS Stock No.:
- 273-2793
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPT029N08N5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB226,822.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB242,700.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 + | THB113.411 | THB226,822.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2793
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPT029N08N5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 169A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | PG-HSOF-8 | |
| Series | IPT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 167W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, JEDEC1, IEC61249-2-21 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 169A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type PG-HSOF-8 | ||
Series IPT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 167W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, JEDEC1, IEC61249-2-21 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET is a N channel 80 V MOSFET and ideal for high frequency switching and synchronized rectification. It is qualified according to JEDEC for target applications. This MOSFET is fully qualified according to JEDEC for industrial applications and halogen free according to IEC61249 2 21.
RoHS compliant
Pb free lead plating
Excellent gate charge
Very low on resistance
100 percent avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor 600 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60R037CM8XTMA1
- Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel Power MOSFET 0.82 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor 135 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT020N13NM6ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60T065S7XTMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT014N08NM5ATMA1