Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60T065S7XTMA1

RS Stock No.:: 349-262
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPT60T065S7XTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60T065S7XTMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB451.27

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB482.858

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 18	THB225.635	THB451.27
20 - 198	THB203.12	THB406.24
200 - 998	THB187.285	THB374.57
1000 - 1998	THB173.68	THB347.36
2000 +	THB155.865	THB311.73

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 349-262
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPT60T065S7XTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	PG-HSOF-8
	Series	IPT
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	65mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.82V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	167W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	51nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	JEDEC for Industrial Applications
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type PG-HSOF-8
	Series IPT
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.82V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 167W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals JEDEC for Industrial Applications
	Automotive Standard No

Datasheet - IPT60T065S7XTMA1

COO (Country of Origin):: MY

The Infineon CoolMOS S7 boasts the lowest Rdson values for an HV SJ MOSFET, with a distinctive increase in energy efficiency. The embedded Temperature sensor increases junction temperature sensing accuracy and robustness while keeping an easy and seamless implementation. CoolMOS S7 is optimized for static switching and high current applications. It is an ideal fit for solid-state relay, circuit breaker designs, and line rectification in SMPS and inverter topologies. The new temperature sensor enhances S7 features, allowing the best possible utilization of the power transistor.

CoolMOS S7 technology enables lowest RDS(on) in the smallest footprint

Optimized price performance in low frequency switching applications

High pulse current capability

Seamless diagnostics at the lowest system

Temperature sense feature for protection and optimized thermal device utilization

Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60T065S7XTMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง