Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 87 A, 200 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT129N20NM6ATMA1
- RS Stock No.:
- 349-132
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPT129N20NM6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB317.17
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB339.37
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,990 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB317.17 |
| 10 - 99 | THB285.50 |
| 100 - 499 | THB263.24 |
| 500 - 999 | THB244.44 |
| 1000 + | THB218.71 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-132
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPT129N20NM6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 87A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | PG-HSOF-8 | |
| Series | IPT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 12.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 234W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 87A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type PG-HSOF-8 | ||
Series IPT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 12.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 234W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 200 V is an N-channel, normal level MOSFET designed for high efficiency power applications. It features very low on-resistance (RDS(on)), minimizing conduction losses. The excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) ensures superior switching performance, while the very low reverse recovery charge (Qrr) contributes to efficient operation. With a high avalanche energy rating, it offers enhanced robustness, and it is capable of operating at 175°C, making it reliable even in harsh environments.
Pb free lead plating
RoHS compliant
Halogen free according to IEC61249-2-21
MSL 1 classified according to J-STD-020
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT029N08N5ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel Power MOSFET 0.82 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60T065S7XTMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT014N08NM5ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60T040S7XTMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60T022S7XTMA1