Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 313 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8
- RS Stock No.:
- 273-5352
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPT012N06NATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB239.12
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB255.86
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 90 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 49 | THB239.12 |
| 50 - 99 | THB198.92 |
| 100 - 249 | THB183.66 |
| 250 - 999 | THB170.49 |
| 1000 + | THB167.03 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-5352
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPT012N06NATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 313A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | IPT | |
| Package Type | PG-HSOF-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 106nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 214W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC61249-2-21, JEDEC1, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 313A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series IPT | ||
Package Type PG-HSOF-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 106nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 214W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC61249-2-21, JEDEC1, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon Power MOSFET is optimized for high current applications such as forklift, light electric vehicles, POL and telecom. This package is a perfect solution for high power applications where highest efficiency, outstanding EMI behaviour as well as best thermal behaviour and space reduction are required. It is qualified according to JEDEC1 for target applications.
Halogen free
RoHS compliant
Pb free lead plating
Superior thermal resistance
100 percent avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT012N06NATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor 650 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel Power MOSFET 0.82 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT029N08N5ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor 600 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60R037CM8XTMA1
- Infineon IPT Type N-Channel Power Transistor 135 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT020N13NM6ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60T065S7XTMA1