Infineon CoolMOS CPA N-Channel MOSFET, 31 A, 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3-2 IPB60R099CPAATMA1
- RS Stock No.:
- 273-2773
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB60R099CPAATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB166,462.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB178,114.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB166.462 | THB166,462.00 |
| 2000 + | THB160.266 | THB160,266.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2773
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB60R099CPAATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 31A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | CoolMOS CPA | |
| Package Type | PG-TO263-3-2 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.105Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 60nC | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 255W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 40mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Width | 40mm | |
| Height | 1.5mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 31A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series CoolMOS CPA | ||
Package Type PG-TO263-3-2 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.105Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 60nC | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 255W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 40mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Width 40mm | ||
Height 1.5mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon MOSFET is a CoolMOS power transistor. This MOSFET has high peak current capability with worldwide best Rds. This CoolMOS is specially designed for DC to DC converters for automotive applications.
RoHS compliant
Ultra low gate charge
High peak current capability
Automotive AEC Q101 qualified
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS CPA N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3-2
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon IPB057N06N N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB65R050CFD7AATMA1
- Infineon StrongIRFET N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB020N03LF2SATMA1
- Infineon StrongIRFET N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB018N03LF2SATMA1
