Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB65R115CFD7AATMA1
- RS Stock No.:
- 273-2779
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB65R115CFD7AATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB91,070.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB97,440.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 + | THB91.07 | THB91,070.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2779
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB65R115CFD7AATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 21A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | PG-TO263-3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.115Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 114W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 21A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type PG-TO263-3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.115Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 114W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon MOSFET is a 650V CoolMOS CFD7A power device, It is a Infineon latest generation of market leading automotive qualified high voltage CoolMOS MOSFETs. In addition to the well known attributes of high quality and reliability required by the automotive industry, the new CoolMOS CFD7A series provides for an integrated fast body diode and can be used for PFC and resonant switching topologies like the ZVS phase shift full bridge and LLC.
Lower switching losses
High quality and reliability
100 percent avalanche tested
Optimized for higher battery voltages
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB65R050CFD7AATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB65R099CFD7AATMA1
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB068N20NM6ATMA1
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB339N20NM6ATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 10-Pin PG-HDSOP-10 IPDD60R180CM8XTMA1