Infineon StrongIRFET N channel-Channel Power MOSFET, 125 A, 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB018N03LF2SATMA1
- RS Stock No.:
- 762-987
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB018N03LF2SATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB68.43
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB73.22
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 800 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB68.43 |
| 10 - 24 | THB57.50 |
| 25 - 99 | THB35.64 |
| 100 - 499 | THB34.69 |
| 500 + | THB33.74 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 762-987
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB018N03LF2SATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 125A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | StrongIRFET | |
| Package Type | PG-TO263-3 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 167W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 46nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 4.83mm | |
| Length | 15.88mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 125A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series StrongIRFET | ||
Package Type PG-TO263-3 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 167W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 4.83mm | ||
Length 15.88mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Infineon StrongIRFET 2 Power Transistor is a 30V N-channel MOSFET suitable for various applications. It operates in extreme conditions, with a maximum temperature rating of 175°C and conforms to environmental regulations.
100% avalanche tested
Pb-free lead plating
RoHS compliant
Halogen-free according to IEC61249-2-21
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon StrongIRFET N channel-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB020N03LF2SATMA1
- Infineon StrongIRFET N channel-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB023N03LF2SATMA1
- Infineon CoolSiC N channel-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R075M2HXTMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon IPB057N06N Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB65R050CFD7AATMA1