Infineon IPB057N06N N-Channel MOSFET, 45 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB057N06NATMA1
- RS Stock No.:
- 273-2997
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB057N06NATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB29,688.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB31,766.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB29.688 | THB29,688.00 |
| 2000 + | THB28.201 | THB28,201.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2997
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB057N06NATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 45A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PG-TO263-3 | |
| Series | IPB057N06N | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83W | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -5°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.5mm | |
| Standards/Approvals | JEDEC 1, IEC61249-2-21 | |
| Length | 40mm | |
| Width | 40mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 45A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PG-TO263-3 | ||
Series IPB057N06N | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83W | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -5°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.5mm | ||
Standards/Approvals JEDEC 1, IEC61249-2-21 | ||
Length 40mm | ||
Width 40mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET is optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial appl
Highest system efficiency
Less paralleling required
Increased power density
System cost reduction
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPB057N06N N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB057N06NATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB65R050CFD7AATMA1
- Infineon StrongIRFET N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB020N03LF2SATMA1
- Infineon StrongIRFET N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB018N03LF2SATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB65R099CFD7AATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB65R115CFD7AATMA1
- Infineon StrongIRFET N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB023N03LF2SATMA1
- Infineon CoolMOS CPA N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3-2 IPB60R099CPAATMA1
