Infineon IPB057N06N N-Channel MOSFET, 45 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB057N06NATMA1
- RS Stock No.:
- 273-2997
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB057N06NATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 2000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 5%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB29,688.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB31,766.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB29.688 | THB29,688.00 | - |
| 2000 + | THB28.201 | THB28,201.00 | 5% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2997
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB057N06NATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 45A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PG-TO263-3 | |
| Series | IPB057N06N | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 27nC | |
| Minimum Operating Temperature | -5°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC 1, IEC61249-2-21 | |
| Width | 40mm | |
| Height | 1.5mm | |
| Length | 40mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 45A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PG-TO263-3 | ||
Series IPB057N06N | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC | ||
Minimum Operating Temperature -5°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals JEDEC 1, IEC61249-2-21 | ||
Width 40mm | ||
Height 1.5mm | ||
Length 40mm | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPB057N06N N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB057N06NATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB65R050CFD7AATMA1
- Infineon StrongIRFET N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB020N03LF2SATMA1
- Infineon StrongIRFET N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB018N03LF2SATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB65R099CFD7AATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB65R115CFD7AATMA1
- Infineon StrongIRFET N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB023N03LF2SATMA1
- Infineon CoolMOS CPA N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3-2 IPB60R099CPAATMA1
