Infineon IPB057N06N Type N-Channel MOSFET, 45 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB057N06NATMA1

RS Stock No.:: 273-2997
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB057N06NATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPB057N06N Type N-Channel MOSFET, 45 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB057N06NATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB29,688.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB31,766.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
1000 - 1000	THB29.688	THB29,688.00
2000 +	THB28.201	THB28,201.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 273-2997
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB057N06NATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	PG-TO263-3
	Series	IPB057N06N
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5.7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1V
	Minimum Operating Temperature	-5°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	27nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	83W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	40mm
	Height	1.5mm
	Standards/Approvals	JEDEC 1, IEC61249-2-21
	Width	40 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type PG-TO263-3
	Series IPB057N06N
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5.7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1V
	Minimum Operating Temperature -5°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 83W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 40mm
	Height 1.5mm
	Standards/Approvals JEDEC 1, IEC61249-2-21
	Width 40 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPB057N06NATMA1

The Infineon power MOSFET is optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial appl

Highest system efficiency

Less paralleling required

Increased power density

System cost reduction

Infineon IPB057N06N Type N-Channel MOSFET, 45 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB057N06NATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง