Infineon CoolMOS CPA Type N-Channel MOSFET, 31 A, 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3-2
- RS Stock No.:
- 273-2774
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB60R099CPAATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB153.95
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB164.73
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 96 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 49 | THB153.95 |
| 50 - 99 | THB149.33 |
| 100 - 249 | THB143.36 |
| 250 - 499 | THB136.19 |
| 500 + | THB128.01 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2774
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB60R099CPAATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 31A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | CoolMOS CPA | |
| Package Type | PG-TO263-3-2 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.105Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 255W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 60nC | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 40 mm | |
| Height | 1.5mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Length | 40mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 31A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series CoolMOS CPA | ||
Package Type PG-TO263-3-2 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.105Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 255W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 60nC | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 40 mm | ||
Height 1.5mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Length 40mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon MOSFET is a CoolMOS power transistor. This MOSFET has high peak current capability with worldwide best Rds. This CoolMOS is specially designed for DC to DC converters for automotive applications.
RoHS compliant
Ultra low gate charge
High peak current capability
Automotive AEC Q101 qualified
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS CPA Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3-2 IPB60R099CPAATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon IPB057N06N Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB65R050CFD7AATMA1
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB068N20NM6ATMA1
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB339N20NM6ATMA1