Vishay SISA10BDN Type N-Channel MOSFET, 104 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8PT SISA10BDN-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB43,311.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB46,344.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 6,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 +THB14.437THB43,311.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
239-5397
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SISA10BDN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

104A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212-8PT

Series

SISA10BDN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0036Ω

Maximum Power Dissipation Pd

63W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11.7nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.75mm

Length

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

3.3mm

Automotive Standard

No

Vishay SISA10BDN Series MOSFET, 30V Maximum Drain Source Voltage, 104A Maximum Continuous Drain Current - SISA10BDN-T1-GE3


This MOSFET is a surface-mount N-channel power transistor designed for high-current switching in Compact electronic assemblies. It operates across a wide temperature range and suits applications demanding substantial continuous drain current and efficient conduction at low voltage. The device integrates a low on-resistance and modest gate charge to balance switching performance and thermal handling in densely packaged systems.

Features and Benefits:


• 104A continuous drain current enables high-current switching capability
• 30V drain-source rating supports low-voltage power rails
• 0.0036Ω Rds(on) reduces conduction losses and heat generation
• 11.7nC gate charge allows efficient gate drive and switching control
• 63W power dissipation accommodates significant thermal load
• 20V maximum gate-source voltage protects gate from overdrive

Applications


• Suitable for motor driver stages in automation equipment
• Ideal for high-current DC-DC converter outputs
• Used for synchronous rectification in power supplies
• Can be used for load switching in industrial controllers
• Used with Compact power modules requiring SMD mounting

What temperature extremes can the device withstand during operation?


It is rated to operate from -55°C up to 150°C, allowing use in challenging thermal environments.

Which package type should designers allow footprint space for?


The component is supplied in a PowerPAK 1212-8PT surface-mount package requiring an 8-pin SMD footprint.

How does the component perform under high-power conditions thermally?


Maximum power dissipation is 63W, indicating the device can handle substantial power when mounted with appropriate PCB thermal management.

Is it suitable where automotive qualification is mandatory?


The device is not specified as meeting automotive standard approvals, so it should not be assumed to replace automotive-qualified parts.

What gate drive considerations are necessary to avoid damage?


Gate drive amplitude must not exceed 20V to remain within the maximum gate-source voltage rating.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง