Vishay SIS Type N-Channel MOSFET, 58.1 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SiSS588DN-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB226.07

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB241.895

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 6,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 45THB45.214THB226.07
50 - 95THB41.158THB205.79
100 - 245THB31.862THB159.31
250 - 995THB31.186THB155.93
1000 +THB20.792THB103.96

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
239-5405
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiSS588DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

58.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SIS

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.008Ω

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

56.8W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.2nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.3 mm

Length

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay N channel power MOSFET has drain current of 58.1 A. It is used for synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converters, OR-ing and hot swap switch, power supplies, motor drive control, battery management

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง