Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK105N60EF-T1GE3

RS Stock No.:: 268-8309
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHK105N60EF-T1GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK105N60EF-T1GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB447.04

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB478.34

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 2,050 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 48	THB223.52	THB447.04
50 - 98	THB200.98	THB401.96
100 - 248	THB164.44	THB328.88
250 - 998	THB161.12	THB322.24
1000 +	THB124.095	THB248.19

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 268-8309
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHK105N60EF-T1GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	24A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	PowerPAK 10 x 12
	Series	SIHK
	Mount Type	PCB
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.105Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	51nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	142W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	9.9mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 24A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type PowerPAK 10 x 12
	Series SIHK
	Mount Type PCB
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.105Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 142W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 9.9mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHK105N60EF-T1GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay SIHK Series MOSFET, 650V Maximum Drain Source Voltage, 24A Maximum Continuous Drain Current - SIHK105N60EF-T1GE3

This MOSFET is a high-voltage N-channel enhancement device designed for power switching in demanding PCB-mounted systems. It operates across a wide temperature range and is intended for applications requiring substantial drain current and elevated blocking voltage while conforming to RoHS environmental standards.

Features and Benefits:

• 650V drain rating enables high-voltage switching capability
• 24A continuous drain current supports heavy-load operation
• 0.105Ω Rds(on) reduces conduction losses under load
• 142W power dissipation allows high-power handling
• 51nC typical gate charge minimises switching energy losses
• 30V gate rating permits wide gate-drive flexibility

Applications

• Suitable for industrial power converters and inverters
• Ideal for high-voltage motor-drive front ends
• Used with switch-mode power supplies for energy-efficient switching
• Can be used for solid-state relays and protection circuits
• Suitable for telecom power distribution modules

What package format does this device use for PCB assembly?

It is supplied in a PowerPAK 10x12 package intended for surface-mount PCB attachment, providing a compact footprint and thermal relief for high-power layouts.

How does the device cope with extreme ambient temperatures?

The device is specified to operate from -55°C up to 150°C, covering wide industrial thermal conditions without derating below those limits.

What gate-drive considerations should be observed for reliable operation?

Gate excursions must be limited to a maximum of 30V to prevent gate oxide stress

appropriate gate resistances and drive circuitry are recommended to manage the 51nC charge during switching.

Is this device suitable for automotive qualification?

It is not designated as automotive-grade, so it should not be assumed to meet automotive-specific qualification requirements.