ROHM R6013VNX Type N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 R6013VNXC7G
- RS Stock No.:
- 265-5418
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6013VNXC7G
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB166.99
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB178.68
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 984 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | THB83.495 | THB166.99 |
| 50 - 98 | THB75.175 | THB150.35 |
| 100 - 248 | THB61.105 | THB122.21 |
| 250 - 498 | THB59.895 | THB119.79 |
| 500 + | THB51.88 | THB103.76 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 265-5418
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6013VNXC7G
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | R6013VNX | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.3Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 54W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series R6013VNX | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.3Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 54W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM power MOSFET with a low on resistance and high power package which is suitable for switching circuits, single cell battery applications and mobile applications.
Fast reverse recovery time (trr)
Low on resistance
Fast switching speed
Drive circuits can be simple
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM R6013VNX Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STD11N60M6 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STD11N60M6 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD11N60M6
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementRVQ(S
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT60T065S7XTMA1
- ROHM R6055VNX Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 R6055VNXC7G
- ROHM R6055VNX Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220