ROHM R6013VNX Type N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 265-5417
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6013VNXC7G
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB54,331.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB58,134.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 2000 | THB54.331 | THB54,331.00 |
| 3000 - 4000 | THB49.865 | THB49,865.00 |
| 5000 + | THB48.376 | THB48,376.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 265-5417
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6013VNXC7G
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | R6013VNX | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.3Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 54W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series R6013VNX | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.3Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 54W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM power MOSFET with a low on resistance and high power package which is suitable for switching circuits, single cell battery applications and mobile applications.
Fast reverse recovery time (trr)
Low on resistance
Fast switching speed
Drive circuits can be simple
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM R6013VNX Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 R6013VNXC7G
- ROHM R6055VNX Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- ROHM R6055VNX Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 R6055VNXC7G
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 950 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 900 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET 600 V P, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220 IPP60R065S7XKSA1