ROHM R6013VNX N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 265-5417
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6013VNXC7G
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
- RS Stock No.:
- 265-5417
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6013VNXC7G
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | R6013VNX | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.3Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 54W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series R6013VNX | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.3Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 54W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM power MOSFET with a low on resistance and high power package which is suitable for switching circuits, single cell battery applications and mobile applications.
Fast reverse recovery time (trr)
Low on resistance
Fast switching speed
Drive circuits can be simple
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM R6013VNX N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 R6013VNXC7G
- ROHM R6055VNX N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- ROHM R6055VNX N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 R6055VNXC7G
- Infineon IPP N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220 IPP60R065S7XKSA1
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 N-Channel MOSFET 600 V P, 3-Pin TO-220 IPA60R170CFD7XKSA1
- STMicroelectronics STD11N60M6 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STD11N60M6 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD11N60M6
- Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET 600 V EnhancementRVQ(S
