Infineon IPP Type N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 500 ชิ้น)*

THB57,090.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB61,087.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
500 - 500THB114.181THB57,090.50
1000 - 1000THB102.763THB51,381.50
1500 +THB92.486THB46,243.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
260-1217
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPP60R065S7XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-220

Series

IPP

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

65mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

167W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.82V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

9.45 mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

4.57mm

Length

10.36mm

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET enables the best price performance for low frequency switching applications. CoolMOS S7 boasts the lowest Rdson values for a HV SJ MOSFET, with distinctive increase of energy efficiency. CoolMOS S7 is optimized for “static switching” and high current applications. It is an ideal fit for solid state relay and circuit breaker designs as well as for line rectification in SMPS and inverter topologies.

High pulse current capability

Increased system performance

More compact and easier design

Lower BOM or/and TCO over prolonged life time

Shock & vibration resistance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง