ROHM R6055VNX Type N-Channel MOSFET, 23 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 R6055VNXC7G
- RS Stock No.:
- 265-5420
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6055VNXC7G
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB200.14
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB214.15
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 971 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 49 | THB200.14 |
| 50 - 99 | THB194.13 |
| 100 - 249 | THB186.37 |
| 250 - 499 | THB177.05 |
| 500 + | THB166.43 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 265-5420
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6055VNXC7G
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 23A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | R6055VNX | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.071Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | Pb-Free Plating, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 23A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series R6055VNX | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.071Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals Pb-Free Plating, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The ROHM power MOSFET with a low on resistance and high power package which is suitable for switching circuits, single cell battery applications and mobile applications.
Fast reverse recovery time (trr)
Low on resistance
Fast switching speed
Drive circuits can be simple
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM R6055VNX Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- ROHM R6055VNZ Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3PF R6055VNZC17
- Infineon IPP60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R022S7XKSA1
- ROHM R6055VNZ Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3PF
- Infineon IPP60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- onsemi QFET Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3PN FQA24N60
- onsemi QFET Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3PN
- Infineon 600V CoolMOS G7 SJ Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin HSOF IPT60R102G7XTMA1