STMicroelectronics STD11N60M6 Type N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD11N60M6

RS Stock No.:: 212-2105
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STD11N60M6
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STD11N60M6 Type N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD11N60M6

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB446.69

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB477.96

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

เพิ่มอีก 60 ชิ้น เพื่อรับการจัดส่งฟรี

คำสั่งซื้อมูลค่าต่ำกว่า THB2,500.00 (ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม) ค่าจัดส่งเพียง THB250.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

950 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 620	THB44.669	THB446.69
630 - 1240	THB43.552	THB435.52
1250 +	THB42.883	THB428.83

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 212-2105
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STD11N60M6
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-252
	Series	STD11N60M6
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	500mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	10.3nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	90W
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	2.4mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.6mm
	Width	6.2 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-252
	Series STD11N60M6
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 500mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.3nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 90W
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 2.4mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.6mm
	Width 6.2 mm
	Automotive Standard No

DataSheet - STD11N60M6

MDMesh M6 MOSFET N-CH

The STMicroelectronics MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. It builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviours available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.

Reduced switching losses

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate input resistance

100% avalanche tested

Zener-protected

STMicroelectronics STD11N60M6 Type N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD11N60M6

เพิ่มอีก 60 ชิ้น เพื่อรับการจัดส่งฟรี

MDMesh M6 MOSFET N-CH

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง