Microchip VN0106 N-Channel MOSFET, 350 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- RS Stock No.:
- 264-8940
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- VN0106N3-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 ถุง ถุงละ 1000 ชิ้น)*
THB19,846.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB21,235.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 21 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถุง* |
|---|---|---|
| 1000 + | THB19.846 | THB19,846.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 264-8940
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- VN0106N3-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 350A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | VN0106 | |
| Package Type | TO-92 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 350A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series VN0106 | ||
Package Type TO-92 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Microchip P-Channel low threshold, enhancement-mode (normally-off) MOSFET utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source-drain diode
High input impedance and high gain
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Microchip VN0106 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 VN0106N3-G
- Microchip Single TN0110 1 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-92 TN0110N3-G
- Microchip N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- Microchip TN0606 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- Microchip 2N7008 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- Microchip 2N7000 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- Microchip VN10K N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- Microchip TN2106 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92