Microchip VN10K Type N-Channel MOSFET, 310 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92

RS Stock No.:: 177-9706
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: VN10KN3-G
ผู้ผลิต:: Microchip

Microchip VN10K Type N-Channel MOSFET, 310 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถุง ถุงละ 1000 ชิ้น)*

THB15,999.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB17,119.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อถุง*
1000 - 1000	THB15.999	THB15,999.00
2000 - 3000	THB15.651	THB15,651.00
4000 +	THB15.303	THB15,303.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 177-9706
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: VN10KN3-G
ผู้ผลิต:: Microchip

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Microchip
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	310mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	VN10K
	Package Type	TO-92
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7.5Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5.08mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4.06 mm
	Height	5.33mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Microchip
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 310mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series VN10K
	Package Type TO-92
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7.5Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5.08mm
	Standards/Approvals No
	Width 4.06 mm
	Height 5.33mm
	Automotive Standard No

Datasheet

Microchip Technology MOSFET

The Microchip Technology through-hole mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source resistance of 5ohms at a gate-source voltage of 10V. It has a drain-source voltage of 60V and a maximum gate-source voltage of 30V. It has continuous drain current of 310mA and maximum power dissipation of 1W. The minimum and a maximum driving voltage for this transistor are 5V and 10V respectively. The MOSFET is an enhancement mode (normally off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. A significant characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. This vertical DMOS FET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Ease of paralleling

• Excellent thermal stability

• Free from secondary breakdown

• High input impedance and high gain

• Integral source drain diode

• Low CISS and fast switching speeds

• Low power drive requirement

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

Applications

• Amplifiers

• Converters

• Drivers (relays, hammers, solenoids, lamps, memories, displays, bipolar transistors, etc.)

• Motor controls

• Power supply circuits

• Switches

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• JEDEC