Microchip Single TN0110 1 Type N-Channel MOSFET, 350 mA, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-92 TN0110N3-G

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
177-9690
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
TN0110N3-G
ผู้ผลิต:
Microchip
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Microchip

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

350mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-92

Series

TN0110

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Transistor Configuration

Single

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4.06mm

Height

5.33mm

Length

5.08mm

Number of Elements per Chip

1

COO (Country of Origin):
TW
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Low threshold - 2.0V max.

High input impedance

Low input capacitance - 50pF typical

Fast switching speeds

Low on-resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง