Microchip TN2106 Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92

RS Stock No.:: 177-9692
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: TN2106N3-G
ผู้ผลิต:: Microchip

Microchip TN2106 Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถุง ถุงละ 1000 ชิ้น)*

THB15,742.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB16,844.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

1,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อถุง*
1000 - 1000	THB15.742	THB15,742.00
2000 - 3000	THB15.399	THB15,399.00
4000 +	THB15.057	THB15,057.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 177-9692
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: TN2106N3-G
ผู้ผลิต:: Microchip

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Microchip
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	300mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-92
	Series	TN2106
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	740mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1.8V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5.08mm
	Width	4.06 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	5.33mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Microchip
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 300mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-92
	Series TN2106
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 740mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1.8V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5.08mm
	Width 4.06 mm
	Standards/Approvals No
	Height 5.33mm
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: TW

This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

Low CISS and fast switching speeds

Excellent thermal stability

Integral source-drain diode

High input impedance and high gain

Microchip TN2106 Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง