Microchip TN0606 N-Channel MOSFET, 3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- RS Stock No.:
- 264-8909
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TN0606N3-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 ถุง ถุงละ 1000 ชิ้น)*
THB27,389.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB29,306.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 13 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถุง* |
|---|---|---|
| 1000 + | THB27.389 | THB27,389.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 264-8909
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TN0606N3-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-92 | |
| Series | TN0606 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-92 | ||
Series TN0606 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Microchip N-Channel low threshold enhancement-mode (normally-off) MOSFET utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
2V maximum low threshold
High input impedance
100pF typical low input capacitance
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Microchip TN0606 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 TN0606N3-G
- Microchip N-Channel MOSFET 3-Pin TO-92
- Microchip VN10K N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- Microchip TN2540 N-Channel MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- Microchip TN5325 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- Microchip N-Channel MOSFET 240 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- Microchip N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- Microchip VN0106 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92