STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 7-Pin Tape & Reel SCT055HU65G3AG
- RS Stock No.:
- 261-5043
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT055HU65G3AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB452.09
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB483.74
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 403 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB452.09 |
| 10 - 99 | THB438.53 |
| 100 - 249 | THB425.38 |
| 250 - 499 | THB412.62 |
| 500 + | THB400.24 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 261-5043
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT055HU65G3AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | Tape & Reel | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 3.5mm | |
| Width | 14 mm | |
| Length | 18.58mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type Tape & Reel | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 3.5mm | ||
Width 14 mm | ||
Length 18.58mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MA
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
AEC-Q101 qualified
Very low RDS(on) over the entire temperature range
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
Source sensing pin for increased efficiency
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin Tape & Reel
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 7-Pin Tape & Reel
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 7-Pin Tape & Reel SCT040HU65G3AG
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Tape & Reel
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Tape & Reel STH12N120K5-2AG
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK SCTH35N65G2V-7AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3AG