STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET, 30 A, 1.2 kV Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3-7

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB594.76

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB636.39

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB594.76
10 - 99THB535.38
100 +THB493.82

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
214-961
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCT070H120G3-7
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1.2kV

Series

SCT

Package Type

H2PAK-7

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

63mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

37nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

3V

Maximum Power Dissipation Pd

224W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

10.4mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

15.25mm

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง