STMicroelectronics N-Channel STH65N Type N-Channel MOSFET, 51 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7
- RS Stock No.:
- 481-129
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STH65N050DM9-7AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB312.14
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB333.99
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 288 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 25 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB312.14 |
| 10 - 49 | THB252.64 |
| 50 - 99 | THB193.63 |
| 100 + | THB171.68 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 481-129
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STH65N050DM9-7AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 51A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | STH65N | |
| Package Type | H2PAK-7 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | N-Channel | |
| Width | 24.3 mm | |
| Length | 15.25mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 51A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series STH65N | ||
Package Type H2PAK-7 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration N-Channel | ||
Width 24.3 mm | ||
Length 15.25mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics N-Channel Power MOSFET is built on Advanced super-junction MDmesh DM9 technology, designed for medium to high voltage applications. It features extremely low RDS(on) per area and a fast-recovery diode, making it Ideal for high-efficiency switching. The DM9 silicon technology utilizes a multi-drain manufacturing process that enhances device structure and performance. With very low recovery charge (Qrr), fast recovery time (trr), and low RDS(on), this MOSFET is optimized for demanding bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Low gate charge and resistance
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt ruggedness
Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin
AEC-Q101 qualified
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics N-Channel STH65N Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 STH65N050DM9-7AG
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK SCTH35N65G2V-7AG
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT027H65G3AG
- STMicroelectronics GH50H65DRB2-7AG IGBT 7-Pin H2PAK-7, Surface Mount