STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 100 ชิ้น)*

THB57,388.70

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB61,405.90

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
100 - 200THB573.887THB57,388.70
300 - 400THB551.812THB55,181.20
500 +THB544.827THB54,482.70

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
224-9997
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCTH35N65G2V-7AG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

45A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

H2PAK

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

67mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

208W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14nC

Forward Voltage Vf

3.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.4mm

Standards/Approvals

No

Height

15.25mm

Width

4.8 mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง